根据中美双方签订的合作协议，英特尔大连芯片厂首期投入２５亿美元，项目建设期为５年。建成投产后形成月产１２英寸、９０纳米集成电路芯片５２０００片的生产能力，主要产品为ＣＰＵ芯片组。大连芯片厂预计在2010年投产，据估算一期 工程投产后将提供约１７００个就业岗位。

　　英特尔公司董事会主席克瑞格·贝瑞特表示，英特尔公司在华投资超过２０年，大连芯片厂是公司在全球第八家、亚洲首家芯片工厂。英特尔大连芯片厂总使用面积达16.3万平方米，内含1.5万平方米的无尘室，计划采用英特尔先进的纳米制程工艺，并配合全球主流的300毫米晶圆技术，以完善英特尔在全球的芯片生产网络。

　　大连市市长夏德仁说，英特尔大连芯片工厂的奠基和开工建设，体现了中美经济技术合作的新进展，展现了中国优越的投资环境，对推动东北老工业基地振兴，对大连使用高新技术产业调整产业结构、保护环境，乃至提升中国的集成电路产业地位，都将产生影响。